最新文章

希爾電子功率半導體新項目廠房預計下半年投用

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 17:49 | 分類 企業
3月5日,據“樂山發布”消息,位于四川樂山高新區的希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用,屆時該公司將新增4個品類的生產線。 圖片來源:拍信網正版圖庫 據悉,自2000年5月成立以來,希爾電子專注于功率半導體器件的研發、制造及銷售,擁有從芯片設計、制造到器件研發、...  [詳內文]

晶湛半導體GaN外延片生產擴建項目竣工驗收

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 17:47 | 分類 企業
近日,據“獨墅湖科創區發布”官微消息,晶湛半導體氮化鎵(GaN)外延片生產擴建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。 圖片來源:拍信網正版圖庫 據悉,該項目占地面積16.5畝,總建筑面積2.2萬平方米,總投資2.8億元,預計年產6英寸GaN外延片12萬片,8英寸GaN...  [詳內文]

華潤微:SiC目前產能達到2500片/月

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 17:43 | 分類 企業
近日,華潤微接受投資機構調研,介紹了公司SiC、GaN等產品進展情況。 SiC方面,據華潤微介紹,公司SiC產品包括SiC MOSFET、SiC JBS以及SiC模塊產品。其中,SiC MOSFET、SiC JBS在新能源汽車、充電樁、光伏、儲能等領域的頭部客戶均實現規模上量,S...  [詳內文]

瞻芯電子:完成股改+更名

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 17:18 | 分類 產業
根據瞻芯電子官方消息,3月5日,公司順利完成股份改制,并獲得上海市市場監督管理局核準,公司名稱正式由“上海瞻芯電子科技有限公司”變更為“上海瞻芯電子科技股份有限公司”,同時變更了公司注冊地址。具體如下: 圖源:瞻芯電子 此外,公司英文名稱、法定代表人、統一社會信用代碼、經營地址...  [詳內文]

英飛凌、羅姆產品新進展

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分類 功率
近日,英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產品端公布了新進展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日,英飛凌宣布,公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產品,CoolSiC MOSFET G2系列產品。 source:英飛凌 英飛凌表示,新一代C...  [詳內文]

成本降低75%,SiC公司Gaianixx再獲得1700萬元融資

作者 |發布日期 2024 年 03 月 07 日 10:25 | 分類 產業
3月6日,日本東京大學初創企業Gaianixx Co., Ltd宣布,公司在B輪第二輪融資中籌集了3.5億日元(折合人民幣1700萬元)。 公開資料顯示,Gaianixx專注于開發、制造和銷售“多能中間膜”和外延膜。公司旗下“多能中間膜”可用于生產調節電壓和電流的功率半導體。該技...  [詳內文]

80億元,天域半導體SiC外延項目預計今年4月投產

作者 |發布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類 企業
2023年3月17日,東莞市2023年首批重大項目動工儀式在松山湖天域半導體項目現場舉行,啟動天域半導體、光大半導體、比亞迪汽車零部件等60個重大項目建設。 圖片來源:拍信網正版圖庫 其中,天域半導體總部、生產制造中心和研發中心建設項目投資額達80億元,為此次園區集中動工項目中...  [詳內文]

降本增效,德州儀器轉型8英寸GaN工藝

作者 |發布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類 企業
德州儀器(TI)近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰略規劃,該公司正在將其GaN-on-Si生產工藝從6英寸向8英寸過渡。 source:德州儀器 TI從6英寸轉型8英寸 3月5日,TI韓國總監Ju-Yong Shin表示,TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓...  [詳內文]

英諾賽科擬赴港上市

作者 |發布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類 企業
3月5日,據《路透社》旗下IFR報道,英諾賽科正計劃最早于今年內,在香港進行IPO,融資規模約3億美元。 消息還指出,英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。 據悉,英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業。而...  [詳內文]

布局SiC,軍工電子龍頭出手振華科技

作者 |發布日期 2024 年 03 月 06 日 14:57 | 分類 企業
3月4日,中國振華(集團)科技股份有限公司(下文簡稱“振華科技”)在投資者關系平臺表示,“十四五”期間,公司大力發展以SiC、GaN為代表的第三代半導體。SiC方面,未來公司將具備芯片自主設計、封測能力,實現SiC SBD系列產品自制,同時開展SiC VDMOS系列產品的設計開發...  [詳內文]